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半导体专用臭氧发生器200-500g

该半导体专用臭氧发生器，高臭氧浓度、低耗氧量、低功耗、相关反应性高、低能耗，在半导体清洗刻蚀方面的应用获得二项发明专利。
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半导体专用臭氧发生器40-100g

该半导体专用臭氧发生器，高臭氧浓度、低耗氧量、低功耗、相关反应性高、低能耗，在半导体清洗刻蚀方面的应用获得二项发明专利。
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半导体专用臭氧发生器10-30g

该半导体专用臭氧发生器，高臭氧浓度、低耗氧量、低功耗、相关反应性高、低能耗，在半导体清洗刻蚀方面的应用获得二项发明专利。
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